碳化硅纖維——優(yōu)秀的耐高溫隱身吸波材料

高溫構件雷達隱身問題是制約戰(zhàn)機和導彈等先進武器裝備發(fā)展的瓶頸，傳統(tǒng)的磁性粒子填充高分子吸波材料在高溫下會發(fā)生性能下降和化學分解，無法滿足巡航導彈冒頭端、發(fā)動機尾噴口、超高音速飛行器表面等武器裝備高溫部位的隱身需求，嚴重限制了全方位隱身技術的發(fā)展，亟待發(fā)展耐高溫、抗氧化、力學性能優(yōu)異的吸波材料。

SiC陶瓷強度高、硬度高、密度小、耐高溫、耐化學腐蝕，是一類很好的陶瓷基吸波材料，相較其他吸波材料耐高溫性能突出，但由有機先驅(qū)體轉(zhuǎn)化的普通 SiC 纖維的電阻率高，是電磁波的透波材料，需要進行工藝改進以提高吸波性能，比如：

通過化學摻雜或物理共混將異質(zhì)金屬元素引入碳化硅纖維中提高其吸波性能；

對碳化硅纖維進行表面改性，通過涂覆或沉積導電層以降低導電率，從而提高吸波性能；

對碳化硅纖維進行高溫處理，其電阻率會降低，吸波性能得以提高；

制備三葉形、橢圓形、C 型、五角星形的異形截面碳化硅纖維，可增加電磁波的反射次數(shù)以提高吸波性能。