版權(quán)歸原作者所有，如有侵權(quán)，請聯(lián)系我們
【半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全景介紹】第十期--引領(lǐng)后摩爾的3D堆疊異構(gòu)集成
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全景介紹
原創(chuàng)
復(fù)旦大學(xué)碩士，原創(chuàng)視頻：《半導(dǎo)體（芯片）產(chǎn)業(yè)全景介紹》
視頻簡介：
第四章：半導(dǎo)體各產(chǎn)品/環(huán)節(jié)的簡略介紹
第十期：引領(lǐng)后摩爾的3D堆疊異構(gòu)集成
4.37異構(gòu)集成仍由引領(lǐng)尺寸微縮的三家引領(lǐng)；前道3D-IC
4.38設(shè)計角度：3D堆疊盤活了集成體系：不同裸芯、IP、宏單元；同一IP內(nèi)、電路結(jié)構(gòu)內(nèi)
4.39廣義的制程：后摩爾的TSV密度與堆疊層數(shù)；仍尺寸更小，密度更高；將舍棄更多產(chǎn)品
4.40硅基算力仍是后摩爾主線；IP與SoC→Chiplet與3D-IC/SiP
掃碼下載APP
科普中國APP
科普中國
科普中國
京公網(wǎng)安備11010202008423號